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流言终结 - 深度解析 iPhone 6 Plus 召回传闻  

2014-11-06 14:48:15|  分类: 资讯 |  标签: |举报 |字号 订阅

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近日一则:“128G 的 iPhone6/Plus
会莫名崩溃,恐导致大规模召回。”的新闻在网上疯传,并且引起了不少苹果用户的担心,尤其是那些根据“要买就买顶配”的买买买原则而选择了 128G 的
iPhone 的用户。不过新闻内容却引起了笔者的好奇,根据报道内容:

流言终结 - 深度解析 iPhone 6 Plus 召回传闻

“引起 iPhone 崩溃的原因竟然是 NAND FLASHMEMORY(闪存)模块中 IC 控制单元出现故障,并且苹果为了减少成本使用了低价的 NAND TLC FLASH MEMORY 而非成本更高、速度更快的 NAND MLC FLASH MEMORY。因此当用户安装超过 700 个 App 时,iPhone 便会自己崩溃,更令消费者感到担忧的是最新的 iOS8.1 更新中这个问题并未解决,问题是出在硬件上。”

NAND TLC/MLC FLASH MEMORY究竟是什么?

首先 FLASH MEMORY 作为闪存设备,是手机类设备的重要存储介质,由日本的东芝公司于 1984 年发明。在 FLASH MEMORY 中又分为 NOR FLASH 和 NAND FLASH 两种常见的类型,其中 NOR FLASH 属于第一代产品,第一款商用产品是 1988 年 intel 公司所制造的 NOR FLASH 芯片,不过由于抹写时间较长,成本较高的原因,NOR FLASH 很快被 NAND FLASH 取代。NAND FLASH 同样是有东芝公司发明,在 1988 年的国际固态电路研讨会(ISSCC)所发布。NAND FLASH 具有较快的抹写时间, 而且每个存储单元的面积也较小,这让 NAND FLASH 相较于 NOR FLASH 具有较高的存储密度与较低的每比特成本。同时它的可抹除次数也高出 NOR FLASH 十倍。

在 FLASH 模块中,数据被存储在由浮闸晶体管组成的记忆单元数组内,在单阶存储单元(Single-level cell, SLC)设备中,每个单元只存储 1 比特的信息,这简称为 SLC NAND FLASH,其优点是传输速度更快,功率消耗更低和存储单元的寿命更长,不过缺点也很明显:每个存储单元包含的信息较少,其每百万字节需花费较高的成本来生产,因此不利于实际生产。而多阶存储单元(Multi-level cell, MLC)设备则利用多种电荷值的控制让每个单元可以存储 2 比特以上的数据,其“多阶”指的是电荷充电有多个能阶(即多个电压值),如此便能存储多个比特的值于每个存储单元中。借由每个存储单元可存储更多的比特,MLC 闪存可降低生产成本,但比起 SLC 闪存,其传输速度较慢,功率消耗较高和存储单元的寿命较低,因此 MLC 闪存技术会用在标准型的储存卡中。而这一次被韩国媒体猛烈抨击的三阶储存单元(Triple-Level Cell, TLC)TLC 闪存,它的架构原理与 MLC 类似,但可以在每个储存单元内储存 3 个信息比特。TLC 的写入速度比 SLC 和 MLC 慢,寿命也比 SLC 和 MLC 短,大约 1000 次,但是可以做到大容量和低价格。现在,厂商已不使用 TLC 这个名字,而是称其为 3-bit MLC。

iPhone 中到底用了什么 FLASH MEMORY

在韩国媒体的报道中“iPhone 不仅使用了成本更低的 NAND TLC FLASH,更重要的是在其控制集成电路(IC)出现了故障。”在 iPhone 内部,这块 IC 主要任务是其他电子元器件和 NAND 之间的调度和控制,保证数据的正常写入和读取,平时用户不管是拍照还是使用应用都离不开它。

那么实际情况是否如韩国媒体报道的那样?带着好奇,笔者查阅 ifixit 的拆机资。根据 16G 的真机实拆图显示,其采用来自韩国的海力士(SKhynix)的 NAND FLASH,型号为 H2JTDG8UD1BMS。(图中红色部分)

流言终结 - 深度解析 iPhone 6 Plus 召回传闻流言终结 - 深度解析 iPhone 6 Plus 召回传闻

这颗 NAND FLASH 在海力士的技术文档中被归为 E2NAND 3.0,是由 SK Hynix 和 Anobit 合作开发的,而 Anobit 早已被苹果收购,致力于提高闪存的稳定性。虽然海力士并未明确标注 H2JTDG8UD1BMS 的类型,但是在全球领先的微电子服务网站 TechInsights 上,H2JTDG8UD1BMS 被明确规范为 NAND MLC FLASH MEMORY。

流言终结 - 深度解析 iPhone 6 Plus 召回传闻

因此此次韩国媒体存在着失实情况,iPhone 6 Plus 所使用的就是 NAND MLC FLASH MEMORY,而非所谓的廉价 NAND TLC FLASH MEMORY。而至于这块 FLASH 中的控制 IC 是否存在问题,目前苹果官方并未出面解释,在其他媒体上也未见反映,因此需要进一步确认。

这则新闻的背后

虽然 iPhone 6 Plus 中的技术细节已经排查清楚,那么为什么这样一则不实新闻会出现呢?笔者接着进行了排查。

这则新闻最先出现于韩国媒体 BusinessKorea,蹊跷的是 BusinessKorea 引援的内容均来自苹果论坛上的同一个用户,他在总计 159 篇的讨论帖中都反映了 128G iPhone 6 Plus 的自动崩溃问题。

显然在这个过程中 BusinessKorea 存在着明显的缺失,新闻事实明显不足,证据单一,说服力较低。除此之外,也没有查明 iPhone 6 Plus 的真实元器件,轻易得出了 128G iPhone 6 Plus 采用 NAND TLC FLASH MEMORY 的错误结论。

虽然苹果官方已经表态,不存在 128G iPhone 6 Plus 大规模自动崩溃的现象,更不可能大规模召回,但是这则失实新闻对不少苹果用户还是造成不小的影响。在笔者的实际使用过程中,iPhone 6 确实出现过程序崩溃的现象,但是次数十分少见,多为越狱后插件冲突所致,而在日常生活中和媒体上更是从未见过高频率的崩溃现象,因此各位 128G 的土豪用户大可放心,只是各家媒体长点心吧!不要一味了眼球而不负责任的转载。

文/煮机网 Kimf2009



本文来自:MacGG

原文地址:http://www.macgg.com/archives/30328.html

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